2SA965-Y,T6F(J（东芝半导体，晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：TO-226-3，TO-92-3 长体）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：2SA965-Y,T6F(J

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS PNP 800MA 120V TO226-3

系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

产品系列：-

零件状态：停产

晶体管类型：PNP

电流-集电极(Ic)（最大值）：800mA

电压-集射极击穿（最大值）：120V

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，500mA

电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：80 @ 100mA，5V

功率-最大值：900mW

频率-跃迁：120MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-226-3，TO-92-3 长体

2SA965-Y,T6F(J，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：2SA965-Y,T6F(J

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：TRANS PNP 800MA 120V TO226-3

产品应用分类：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

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